SRAM ve DRAM gibi uçucu bellekler, elektrik kesildiğinde verileri kaybettikleri için düşük güçlü sistemler için uygun değildir. Öte yandan flash gibi uçucu olmayan bellekler enerji açısından verimli olsa da yapay zekânın yüksek hızlı veri erişimi gereksinimlerini karşılayamaz.

Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, iki boyutlu Dirac grafen kanallı bir flash bellek geliştirerek, uçucu olmayan bilgi depolama ve erişiminde hız sınırlarını aşmayı başardı.

Araştırmanın sonuçları Çarşamba günü Nature dergisinde yayımlandı.

Çalışmanın baş araştırmacısı Zhou Peng, yaptığı açıklamada, “Yapay zekâ algoritmalarını kullanarak işlem test koşullarını optimize ettik ve bu yeniliği önemli ölçüde ileri taşıyarak gelecekteki uygulamaların yolunu açtık.” dedi.

Nature dergisinin hakem değerlendirmesinde şu ifadelere yer verildi: “Bu özgün bir çalışma ve yenilik seviyesi, gelecekte yüksek hızlı flash bellek tasarımları için yeterli potansiyele sahip.” (İLKHA)